Location：
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, биполярный транзистор с изоляционной решеткой) - мощный полупроводниковый прибор с управлением напряжением, который сочетает в себе преимущества MOSFET (MOOX - полупроводниковый полевой трубка) и BJT (биполярный транзистор) и является основным устройством переключения мощности в современной электроэлектронике.
| Код для заказа | Фото | Корпус | Uкэ макс | Iк | Uкэ нас | Мощность | Зарядовая емкость | Тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5302DG-AA3-R (UTC) | SOT-223 | – | – | – | – | – | – | |
| 5302DG-TM3-T (UTC) | – | – | – | – | – | – | – |