FET транзисторы

Полевой транзистор (FET) - полупроводниковый прибор, который использует эффект электрического поля для управления током. В отличие от биполярных транзисторов (BJT), FET является устройством управления напряжением, которое регулирует проводящий канал между исходным электродом и утечкой через изменение напряжения сетки, тем самым контролируя размер тока.

Описать

Код для заказа Фото Корпус Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rсм (вкл) Uзатра (ном) Qзатра
L2N7002KDW1T1G (LRC) SC88 DUAL N 60 В 320 мА 2.3 Ом 0…2.3 Ом ±20 В –
L2N7002LT1G (LRC) – N 60 В 115 мА 7.5 Ом 7.5 Ом ±20 В –
LBSS138LT1G (LRC) SOT23 N 50 В 200 мА 3.5 Ом 3.5 Ом ±20 В –
LBSS84LT1G (LRC) SOT23 P-CHANNEL 50 В 130 мА 10 Ом 0…10 Ом ±20 В –
LSI1012XT1G (LRC) SC89 N 20 В 500 мА 0.7 Ом 0…0.7 Ом ±6 В –
L2N7002DW1T1G (LRC) SC88 DUAL N 60 В 115 мА 7.5 Ом 7.5 Ом ±20 В –
L2N7002EM3T5G (LRC) SOT723 N 60 В 115 мА 7.5 Ом 0…7.5 Ом ±20 В –
L2N7002KLT1G (LRC) SOT233 N 60 В 320 мА 2.3 Ом 2.3 Ом ±20 В –
L2N7002KN3T5G (LRC) SOT883 N 60 В 320 мА 2.3 Ом 0…2.3 Ом ±20 В –
L2N7002KTT1G (LRC) SC89 N 60 В 320 мА 2.3 Ом 0…2.3 Ом ±20 В –
L2N7002KWT1G (LRC) SC703 N 60 В 320 мА 2.3 Ом 0…2.3 Ом ±20 В –
L2N7002KX4T5G (LRC) DFN10104 N 60 В 320 мА 2.3 Ом 0…2.3 Ом ±20 В –
L2N7002M3T5G (LRC) SOT723 N 60 В 115 мА 4 Ом 0…4 Ом ±20 В –
L2N7002SDW1T1G (LRC) SC88 N 60 В 320 мА 2.8 Ом 0…2.8 Ом ±20 В –
L2N7002SLT1G (LRC) SOT23 N 60 В 320 мА 2.8 Ом 0…2.8 Ом ±20 В –
L2N7002SWT1G (LRC) SC70 N 60 В 320 мА 2.8 Ом 0…2.8 Ом ±20 В –
L2N7002WT1G (LRC) SC70 N 60 В 115 мА 7.5 Ом 0…7.5 Ом ±20 В –
L2SK3018WT1G (LRC) SC70 N 30 В 100 мА 8 Ом 0…8 Ом ±20 В –
L2SK3019LT1G (LRC) SOT23 N 30 В 100 мА 13 Ом 0…13 Ом ±20 В –
L2SK3541M3T5G (LRC) SOT723 N 30 В 100 мА 8 Ом 0…8 Ом ±20 В –