Location：
Field Effect Transistor (FET) - полупроводниковый прибор, который управляет током с помощью эффекта электрического поля. В отличие от биполярных транзисторов (BJT), FET является устройством управления напряжением, которое регулирует проводящий канал между исходным электродом и утечкой, накладывая напряжение на сетку, тем самым контролируя размер тока. Входное сопротивление FET чрезвычайно велико и практически не поглощает ток из источника сигнала.
| Код для заказа | Фото | Корпус | U стаб | I стаб |
|---|---|---|---|---|
| LBZX84C15LT1G (LRC) | SOT-23-3 | 15 В | 5 мА | |
| LBZX84C2V7LT1G (LRC) | SOT-23-3 | 2.7 В | 5 мА | |
| LBZX84C3V3LT1G (LRC) | SOT-23-3 | 3.3 В | 5 мА | |
| LMSZ5231BT1G (LRC) | SOD123 | 5.1 В | 20 мА | |
| 1N4742AM (LRC) | DO41 | 12 В | 21 мА | |
| 1N4749AM (LRC) | – | 24 В | 10.5 мА | |
| LBZT52B10T1G (LRC) | SOD123 | 10 В | 5 мА | |
| LBZT52B11T1G (LRC) | SOD123 | 11 В | 5 мА | |
| LBZT52B12T1G (LRC) | SOD123 | 12 В | 5 мА | |
| LBZT52B13T1G (LRC) | SOD123 | 13.2 В | 5 мА | |
| LBZT52B15T1G (LRC) | SOD123 | 14.7 В | 5 мА | |
| LBZT52B16T1G (LRC) | SOD123 | 16.2 В | 5 мА | |
| LBZT52B18T1G (LRC) | SOD123 | 18 В | 5 мА | |
| LBZT52B20T1G (LRC) | SOD123 | 20 В | 5 мА | |
| LBZT52B22T1G (LRC) | SOD123 | 22 В | 5 мА | |
| LBZT52B24T1G (LRC) | SOD123 | 24.3 В | 5 мА | |
| LBZT52B27T1G (LRC) | SOD123 | 26.9 В | 5 мА | |
| LBZT52B2V4T1G (LRC) | SOD123 | 2.5 В | 5 мА | |
| LBZT52B2V7T1G (LRC) | SOD123 | 2.8 В | 5 мА | |
| LBZT52B30T1G (LRC) | SOD123 | 29.9 В | 5 мА |