IGBT транзисторы

IGBT tranzistory - транзистор IGBT (англ.Insulated Gate Bipolar Transistor).

Описать

Код для заказа Фото Корпус Uкэ макс Uкэ нас Мощность Заряд затвора Вход Тип
NCE07TD60BD (NCE) TO263 600 В 14 А 1.7 В 87 Вт
NCE07TD60BK (NCE) TO252 600 В 14 А 1.7 В 87 Вт
NCE10TD60BD (NCE) TO263 600 В 20 А 1.7 В 100 Вт
NCE10TD60BK (NCE) TO252 600 В 20 А 1.7 В 100 Вт
NCE15TD60BD (NCE) TO263 600 В 30 А 1.7 В 126 Вт
NCE15TD60BF (NCE) TO220F 600 В 30 А 1.7 В 40 Вт
NCE25TD120BT (NCE) TO-247-3 1200 В 50 А 1.55 В 365 Вт
NCE30TD120UT (NCE) TO-247-3 1200 В 60 А 1.95 В 468 Вт
NCE30TD60B (NCE) TO-220-3 600 В 60 А 1.7 В 176 Вт
NCE30TD60BD (NCE) TO263 600 В 60 А 1.7 В 176 Вт
NCE30TD60BF (NCE) TO220F 600 В 60 А 1.7 В 42 Вт
NCE30TD60BP (NCE) TO3P 600 В 60 А 1.7 В 176 Вт
NCE30TD60BT (NCE) TO-247-3 600 В 60 А 1.7 В 176 Вт
NCE30TH60BP (NCE) TO3P 600 В 60 А 1.7 В 176 Вт
NCE30TH60BPF (NCE) TO3PF 600 В 60 А 1.7 В 71 Вт
NCE40TD120BT (NCE) TO-247-3 1200 В 80 А 1.55 В 468 Вт
NCE40TD120LT (NCE) TO-247-3 1200 В 80 А 1.5 В 468 Вт
NCE40TD120UT (NCE) TO-247-3 1200 В 80 А 1.95 В 535 Вт
NCE40TD120VT (NCE) TO-247-3 1200 В 80 А 1.7 В 468 Вт
NCE40TD120VTP (NCE) TO-247-3 1200 В 80 А 1.7 В 468 Вт