Location：
Field effect transistor is a voltage controlled semiconductor device that controls the magnitude of the output current by changing the electric field strength at the input terminal. It is one of the core components of modern electronic technology, and is listed alongside bipolar transistors (BJTs) as one of the two major types of transistors.
| Код для заказа | Фото | Корпус | Тип | Uск | Iд(25°C) | RDS on | Rон (вкл) | Uзпт (ном) | Qзпт |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 60 В | 115 мА | 0.9 Ом | 0.9…2.5 Ом | ±20 В | – | |
| 2N7002K (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 60 В | 340 мА | 0.9 Ом | 0.9…1.1 Ом | 4.5…10 В | – | |
| 2N7002KDW (JSCJ) |
SOT-323-6 SOT363 |
Dual N | 60 В | 340 мА | 2.5 Ом | 2.5…3 Ом | 4.5…10 В | – | |
| BSS123 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 100 В | 170 мА | 6 Ом | 6…10 Ом | 4.5…10 В | – | |
| BSS138 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 50 В | 220 мА | 3.5 Ом | 3.5…6 Ом | 4.5…10 В | – | |
| BSS138 SOT-23 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 50 В | 220 мА | 0.88 Ом | 0.88…1.5 Ом | 4.5…10 В | – | |
| CI2302 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 20 В | 2.1 А | 60 мОм | 0.06…0.115 Ом | 2.5…4.5 В | 1.0E-8 нКл | |
| CI2307 (JSCJ) | SOT-23-3 | P | -30 В | -2.7 А | 88 мОм | 0.088…0.138 Ом | -10…-4.5 В | 6.2E-9 нКл | |
| CI2309A (JSCJ) | SOT-23-3 | P | -60 В | -2 А | 0.13 Ом | 0.13…0.19 Ом | ±20 В | – | |
| CI2310 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 60 В | 3 А | 0.105 Ом | 0.105…0.125 Ом | 4.5…10 В | 6.0E-9 нКл | |
| CI3134K (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 20 В | 750 мА | 0.27 Ом | 0.27…0.39 Ом | 1.8…4.5 В | 0.75 нКл | |
| CI3400A (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 30 В | 5.8 А | 32 мОм | 32…45 мОм | 2.5…10 В | 1.0E-8 нКл | |
| CI3406 (JSCJ) | SOT-23-3 | N | 30 В | 3.6 А | 40 мОм | 40…65 мОм | ±20 В | – | |
| CI7252KDW (JSCJ) |
SOT-323-6 SOT363 |
N, P | 60 В | 340 мА | 1.1 Ом | 1.1…5.3 Ом | ±20 В | – | |
| CIAC13TH06 (JSCJ) | – | N | 60 В | 130 А | 2.2 мОм | 2.2…3 мОм | ±20 В | – | |
| CIAC200SN04U (JSCJ) | – | N | 40 В | 200 А | – | – | – | – | |
| CIB3R0SN10B (JSCJ) | TO263 | N | 100 В | 180 А | 2.5 мОм | 2.5…3 мОм | – | 62 нКл | |
| CIL2301 (JSCJ) | SOT236L | DUAL P | -20 В | -2.3 А | 58 мОм | 58…90 мОм | ±8 В | – | |
| CIP50P06S (JSCJ) | TO2203L | P | -60 В | -50 А | 25 мОм | 25…30 мОм | ±20 В | – | |
| CIQ07N10 (JSCJ) |
SO-8 SOIC8 |
N | 100 В | 7 А | 25 мОм | 25…28 мОм | ±20 В | – |