Биполярный транзистор

Bipolar Junction Transistor (BJT) is a current controlled semiconductor device that utilizes two types of charge carriers (electrons and holes) to conduct electricity, hence it is called "bipolar". It is one of the most basic amplification and switching components in electronic circuits.

Описать

Код для заказа Фото Корпус Тип Uск Iд(25°C) RDS on Rон (вкл) Uзпт (ном) Qзпт
2N7002 (JSCJ) SOT-23-3 N 60 В 115 мА 0.9 Ом 0.9…2.5 Ом ±20 В –
2N7002K (JSCJ) SOT-23-3 N 60 В 340 мА 0.9 Ом 0.9…1.1 Ом 4.5…10 В –
2N7002KDW (JSCJ) SOT-323-6
SOT363 		Dual N 60 В 340 мА 2.5 Ом 2.5…3 Ом 4.5…10 В –
BSS123 (JSCJ) SOT-23-3 N 100 В 170 мА 6 Ом 6…10 Ом 4.5…10 В –
BSS138 (JSCJ) SOT-23-3 N 50 В 220 мА 3.5 Ом 3.5…6 Ом 4.5…10 В –
BSS138 SOT-23 (JSCJ) SOT-23-3 N 50 В 220 мА 0.88 Ом 0.88…1.5 Ом 4.5…10 В –
CI2302 (JSCJ) SOT-23-3 N 20 В 2.1 А 60 мОм 0.06…0.115 Ом 2.5…4.5 В 1.0E-8 нКл
CI2307 (JSCJ) SOT-23-3 P -30 В -2.7 А 88 мОм 0.088…0.138 Ом -10…-4.5 В 6.2E-9 нКл
CI2309A (JSCJ) SOT-23-3 P -60 В -2 А 0.13 Ом 0.13…0.19 Ом ±20 В –
CI2310 (JSCJ) SOT-23-3 N 60 В 3 А 0.105 Ом 0.105…0.125 Ом 4.5…10 В 6.0E-9 нКл
CI3134K (JSCJ) SOT-23-3 N 20 В 750 мА 0.27 Ом 0.27…0.39 Ом 1.8…4.5 В 0.75 нКл
CI3400A (JSCJ) SOT-23-3 N 30 В 5.8 А 32 мОм 32…45 мОм 2.5…10 В 1.0E-8 нКл
CI3406 (JSCJ) SOT-23-3 N 30 В 3.6 А 40 мОм 40…65 мОм ±20 В –
CI7252KDW (JSCJ) SOT-323-6
SOT363 		N, P 60 В 340 мА 1.1 Ом 1.1…5.3 Ом ±20 В –
CIAC13TH06 (JSCJ) – N 60 В 130 А 2.2 мОм 2.2…3 мОм ±20 В –
CIAC200SN04U (JSCJ) – N 40 В 200 А – – – –
CIB3R0SN10B (JSCJ) TO263 N 100 В 180 А 2.5 мОм 2.5…3 мОм – 62 нКл
CIL2301 (JSCJ) SOT236L DUAL P -20 В -2.3 А 58 мОм 58…90 мОм ±8 В –
CIP50P06S (JSCJ) TO2203L P -60 В -50 А 25 мОм 25…30 мОм ±20 В –
CIQ07N10 (JSCJ) SO-8
SOIC8 		N 100 В 7 А 25 мОм 25…28 мОм ±20 В –